analog-electronics

模电似乎不是能随便学学就学明白的课，遂更新笔记。

晶体二极管及其电路

半导体基础

待补

PN结

形成

待补

单向导电性

待补

其他特性

反向击穿

待补

电容

1. 势垒电容

   \(C_T\)​，正偏，\(10^{2\sim3}p F\)​

2. 扩散电容

   \(C_D\)，反偏，\(10^{0\sim 2}pF\)

3. 低频一般不考虑，高频考虑

温度

1. 温度上升，死区电压、正向管压降 降低。

​ 温度升1

2. 温度升高，反向饱和电流 增大。

晶体二极管

结构

点接触，面接触，平面

伏安特性

1. 正向特性

2. 反向特性

3. 击穿特性

   （稳压管）

参数

1. 额定整流电流\(I_F\)

2. 反向击穿电压\(U_{(BR)}\)

3. 最高反向工作电压\(U_R\)

4. 反向电流\(I_R\)

5. 正向压降

6. 动态（交流）电阻\(r_D\)

   \(r_D=\frac{U_T}{I_{DQ}}\)

7. 直流电阻\(R_D\)

   \(R_D=\frac{U_D}{I_D}|_Q\)

8. 最高工作频率\(f_M\)

简化模型

1. 大信号时，折线近似
2. 当\(r_D=0\)时，竖直上升
3. 当\(r_D=0,U_{D(ON)}=0\)时，理想模型，开关

稳压二极管

利用反向击穿特性

符号

参数

1. 稳定电压\(U_Z\)
2. 电压温度系数\(\alpha_u\)
3. 动态电阻\(r_Z\),(小了性能好)
4. 稳定电流\(I_Z\),最大稳定电流\(I_{ZM}\)
5. 最大允许耗散功率\(P_{ZM}\)

经典电路

基本电路

（例题）

半导体放大器件

晶体三极管（双极，两个PN结，CCCS电流控制）

场效应管（单极，VCCS电压控制）

晶体三极管

工作原理

1. 基本结构

   C: collect B: base E: emitter,其中C输出端，E输入端

2. 分类：结构，材质，功率

3. 放大外部条件：发射结正偏，集电结反偏，具体电位\(U_C>U_B>U_E,NPN\),\(PNP\)相反

4. 放大效果：\(I_E=I_B+I_C\)

电流分配

1. 三种连接组态

   何为共极？

   静态工作点？

2. 电流分配关系

   1. 共基级，\(I_B=(1-\bar{\alpha})I_E\)
   2. 共发射级，\(\bar{\beta}=\frac{\bar{\alpha}}{1-\bar{\alpha}}\)，\(I_C=\bar{\beta}I_B,I_E=(1+\bar{\beta})I_B\)
   3. 交流放大系数，\(\alpha=\bar{\alpha},\beta=\bar{\beta}\)​，\(i_C=\alpha i_E,i_C={\beta}i_B,i_E=(1+{\beta})i_B\)​​
   4. ps.含bar的是直流，不含的是交流。

伏安特性与主要参数

1. 晶体管的伏安特性
   1. 输入特性曲线
   2. 输出特性曲线
      1. 截止区：\(i_C=0,U_{BE}=U_{CC}\)
      2. 放大区：
      3. 饱和区：深度饱和、
2. 主要参数
   1. 极限参数

晶体管直流模型

1. 截止模型
2. 放大模型
3. 饱和模型

放大电路基础

基础知识

组成原理

一些边角

1. 大写是直流量，小写是交流量，小写下角标大写物理量是叠加